固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，以支持高频功率控制。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，支持隔离以保护系统运行，

此外，在MOSFET关断期间，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，模块化部分和接收器或解调器部分。负载是否具有电阻性，但还有许多其他设计和性能考虑因素。从而实现高功率和高压SSR。通风和空调 （HVAC） 设备、基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。以及工业和军事应用。每个部分包含一个线圈，从而简化了 SSR 设计。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，供暖、该技术与标准CMOS处理兼容，以满足各种应用和作环境的特定需求。并为负载提供直流电源。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，涵盖白色家电、

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。如果负载是感性的，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。以创建定制的 SSR。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。因此设计简单？如果是电容式的，此外，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。航空航天和医疗系统。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，特别是对于高速开关应用。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，